中国科大学位与研究生教育
课程名称: 教师:
当前位置:
 >> 
课程列表  
主讲教师:田悦 人气:641 更新时间: 2017年04月24日
微纳加工技术讲座主要邀请国内外知名企业及微纳加工领域的同行分享行业内的最新技术进展,分享成功技术案例,建立技术服务与用户之间的沟通桥梁,提升我校的微纳加工整体水平。本期邀请报告以微纳加工领域中电子束曝光技术为主题,围绕其基本原理、工艺流程以及电子束曝光光刻胶的特征等开展,分享电子束曝光技术的应用案例。
主讲教师:高飞飞 人气:1252 更新时间: 2016年06月18日
WepresentanewtransmissionstrategyforthemultiusermassiveMIMOsystems,includinguplink/downlinkchannelestimationanduserschedulingfordatatransmission.ThisschemeexploitsthearraystructureaswellasthespatialinformationoftheincomingsignalatBS,andgeneratesanalternativelowranksignalingmodel,namedasspatialbasisexpansionmodel(SBEM).ThebasisvectorsofSBEMareformulatedfromdiscreteFourierTransform(DFT)vectorsandcanbeefficientlydeployedbythefastFouriertransform(FFT).WithSBEM,bothuplinkanddownlinkchannelestimationofmultiuserscanbecarriedoutwithveryfewamountoftrainingresources,whichsignificantlyreducesthetrainingoverheadandthefeedbackcostforthedownlinktraining.Moreover,thechannelestimationofdifferentuserscouldbespatiallyseparatedfromorthogonalbeams,whichimmediatelyrelievethepilotcontaminationproblem.Comparedtotheexistinglowrankmodeling,thenewlyproposedSBEMdoesnotrequireknowledgeofmassivechannelstatisticsanddoesnotsufferfromhighcomplexeigenvaluedecompositionofthemassivecovariancematrices.AnotherkeybenefitofSBEMisthatduetoreciprocityofelectromagneticwaves,thebeamdirectionsarealsoreciprocalforuplinkanddownlinktransmission.Hence,SBEMisnotonlyapplicableforTDDsystembutmayalsopresentalowcomplexitysolutionfortheFDDsystems.Lastly,someefficientuserschedulingalgorithmsfordatatransmissionsaredesignedbasedondifferentoptimizationcriterions.
主讲教师:潘志刚 人气:971 更新时间: 2016年05月18日
Integratedcircuit(IC)isoneofthemostimportantinventionsthathavehelpedshapetheentireinformationrevolution.Asthefeaturesizeenterstheeraofextremescaling(14nm,11nm,andbeyond),ICdesignandmanufacturingchallengesareexacerbated,duetotheadoptionofmultiplepatterningandotheremerginglithographytechnologies.Meanwhile,newwaysof“equivalent”scalingsuchas2.5D/3DIChavegainedtremendousinterestandinitialindustryadoption,andnewdevices/materialssuchasnanophotonicsaremakingtheirheadwaystoon-chipintegration.Furthermore,ICdesignandCADmethodologiesarebeingpushedtonewfrontiers,e.g.,intobio-chips,healthcare,andInternet-of-Things,whereenergyandsecurityaremajorconcerns.ThistalkwilldiscusssomekeytechnologytrendsandchallengesinnanometerICdesignandmanufacturingclosureindeepnano-scalingandbeyond,anddiscusssomeopportunitiesandrecentresearchresults.Biography:DavidZ.Pan(IEEEFellow)receivedhisPhDdegreeinComputerSciencefromUCLAin2000.HewasaResearchStaffMemberatIBMT.J.WatsonResearchCenterfrom2000to2003.HeiscurrentlyEngineeringFoundationEndowedProfessor(#1)attheDepartmentofElectricalandComputerEngineering,TheUniversityofTexasatAustin.Hehaspublishedover240refereedtechnicalpapersand8USpatents,andgraduated20PhDstudents.Hehasservedinmanyjournaleditorialboards(TCAD,TVLSI,TCAD-I,TCAS-II,TODAES,ScienceChinaInformationScience,etc.)andconferencecommittees(DAC,ICCAD,DATE,ASPDAC,ISLPED,ISPD,etc.).Hehasreceivedanumberofawards,includingtheSRCTechnicalExcellenceAward(2013),DACTop10AuthorAwardinFifthDecade(2013),DACProlificAuthorAward(2013),ASP-DACFrequentlyCitedAuthorAward(2015),13BestPaperAwardsatpremiervenues,CommunicationsoftheACMResearchHighlights(2014),ACM/SIGDAOutstandingNewFacultyAward(2005),NSFCAREERAward(2007),NSFCOverseasandHongKong/MacauScholarsCollaborativeResearchAward,SRCInventorRecognitionAwardthreetimes,IBMFacultyAwardfourtimes,UCLAEngineeringDistinguishedYoungAlumnusAward(2009),UTAustinRAISEFacultyExcellenceAward,manyinternationalCADcontestawards,amongothers.潘志刚(DavidZ.Pan)博士,IEEEFellow,美国德克萨斯大学奥斯汀分校(UTAustin)电子与计算机工程系终身讲席教授(EngineeringFoundationProfessor)。1992年获北京大学地球物理系学士学位,1994/1998/2000年分别获得加州大学洛杉矶分校(UCLA)大气科学硕士/计算机科学硕士/计算机科学博士学位(获优秀博士奖)。他2000-2003年任美国IBM研究中心研究员。2003年至今执教于UTAustin,任集成电路设计及自动化实验室主任。在他指导下已有20位博士生毕业。在他领域的顶级学术期刊和会议发表论文超过240多篇,拥有8项美国专利。他的科研成果不仅在学术界被广泛引用,还大量实际应用于工业界。他担任许多顶尖期刊的编委,众多国际会议及学会的主席,并担任过许多国际知名公司的顾问或主持合作项目。他被选为2012-2014年度UTAustin亚裔教授员工协会主席。他荣获过30多个国际重要奖项,包括:世界顶尖的半导体研究联盟SemiconductorResearchCorporation(SRC)2013年度杰出研究大奖的唯一得主;数次荣获电子设计自动化领域国际顶级会议的顶级作者奖/频繁引用作者奖;13次荣获最佳论文奖;美国NSFCAREERAward;中国自然科学基金海外及港澳学者合作研究基金(即海外杰青);加州大学洛杉矶分校工学院杰出年青校友奖;四次获得IBM教授奖;德州大学奥斯汀分校杰出亚裔教授奖,等等。
主讲教师:丁志国 人气:1060 更新时间: 2016年04月25日
主讲教师:赵云波 人气:1159 更新时间: 2016年04月20日
赵云波,浙江工业大学教授,博士生导师,2014年入选国家青年千人计划。分别于2003、2007和2008年本科、硕士和博士毕业于山东大学、中科院系统所和英国南威尔士大学。曾先后在法国国家信息与自动化研究所、英国格拉斯哥大学、韩国先进技术研究院和英国帝国理工学院等学术科研机构从事科学研究。主要从事网络化控制系统和系统生物学方面的研究,感兴趣于包含了通信网络、布尔逻辑或生物复杂性后的网络化的控制系统的设计和分析。在高水平国际期刊和顶尖会议已发表学术论文50余篇。Inthistalk,thespeakerwillintroducebrieflyhisrecentresearchinthreedifferentbutcloselyrelatedareas,thatis,networkedcontrolsystems,Booleannetworks,andsystemsbiology.Innetworkedcontrolsystems,thespeakerwilldiscussaunifiedsolutiontosuchsystemscalledthe“packet-basedapproach”,proposedoriginallybythespeaker;inBooleannetworks,thespeakerwilldiscusssomeresultsobtainedbasedontherecentlyproposedsemi-tensorproduct;andinsystemsbiology,thespeakerwilltalkaboutthemathematicalmodellingofthemRNAtranslationprocess.Thethreedifferenttypesofsystemsinvolvecommunication,logic,andbiology,respectively,butareintheabstractsensesimilarintermsoftheirnetworkedstructure,thusthetitleofthetalk.
主讲教师:左永宁 人气:1448 更新时间: 2016年04月10日
Cadence EDA技术讲座 主题:20/16纳米节点设计挑战及Cadence解决方案 时间:2016年3月31日(周四)上午10:00-11:45 地点:信息学院 电2楼 208会议室 报告人:左永宁/Rock Zuo (Cadence Sr AE Manager),从业时间 >15年 主办单位: 中科大信息科学实验中心
主讲教师:Yongning Tang 人气:2610 更新时间: 2015年05月18日
  ABSTRACT:Comparedtotraditionalnetworks,SDNemploystwoimportantsimplificationsthatmakeiteligibleforanothernewdimensionofnetworktroubleshooting:formalverification.First,SDNrelocatescontrolfromdistributedalgorithmsrunningonindividualdevicestoalogicallycentralizedcontroller.Second,SDNreplacesvariousheterogeneousdevices(e.g.,switches,routers,loadbalancers,firewalls)usedintraditionalnetworkswithcommodityprogrammableSDNswitchesthatprovideastandardsetoffeatures.Together,thesesimplificationsimplythatthebehaviorofthenetworkisdeterminedbythesequenceofconfigurationinstructionsissuedbythecontroller.Hence,networkoperatorscanreasonaboutthestatesofSDNswitchestoverifywhetherornotthenetworkhassomeproperty(e.g.,loopfree,correctaccesscontrol).Inthenetworkingcommunity,thereisburgeoninginterestintoolsthatchecknetwork-widepropertiesautomatically. Inthistalk,IwillstartfromatraditionalfaultdiagnosistechniquebasedonBayesianbeliefnetwork,andthenmovetotwodimensionsofnetworktroubleshootinginthecontextofSDN:causalitybasedfaultdiagnosisandformalmethodbasednetworkverifications.Severalrecentlydevelopedsolutionsinthenetworkingcommunity,suchasMinimalCausalSequence(MCS),FlowChecker,HeaderSpaceAnalysis(HSA),VeriFlow,willbepresentedascasestudies.Finally,Iwillwrapupmytalkwithbriefdiscussionofmyrecentresearchintherelatedfield.
主讲教师:刘发林 人气:12478 更新时间: 2015年03月22日
Selected Texts in Scientific and Technological English.
主讲教师:陈雪锦 人气:28182 更新时间: 2015年03月22日
图像理解(Image understanding) 包含物体检测、识别、关系建模等过程,从而对整个图像所包含的场景及物体进行语义描述。其作为计算机视觉的核心问题,具有广阔的应用前景和极高的研究价值。本课程主要介绍图像理解的基本理论方法以及最新进展。课程共分5个部分。第一部分,介绍图像基本特征的提取和描述,包括边缘、角点、斑点,以及SIFT等其它描述子;第二部分,介绍目标识别的基本方法和原理,包括Alignment voting, Bag-of-word
主讲教师:Jason woo 人气:11753 更新时间: 2014年11月30日
Chap1.ShortChannelCMOSDevices(6hs)1.1SummaryofLongChannelCMOSDeviceCharacteristics.1.1.1D.CI-VCharacteristics.1.1.2CMOSVoltageGainStage.1.1.3WeakInversion(Subthreshold)Characteristics.1.2CMOSDeviceScalingandITRSRoadMap.1.3Shortchanneleffects(SCE).1.3.1ReductionofVthinShortChannelMOSFET.1.3.2Drain-InducedBarrierLowering(DIBL),1.3.3ChannelLengthDependenceofVth.1.3.4VelocitySaturationandShortChannelDeviceI-Vcharacteristics.1.4MOSDeviceDesign.1.4.1MOSFETScalingConstantFieldScalingschemeGeneralizedScalingscheme1.4.2Non-uniformDopingandRetrogradeWellDoping1.4.3Shallows/dJunctions,s/dExtension,andRaiseds/d1.5CMOSDevicesinBallisticTransportLimit1.5.1BallisticTransportLimit1.5.2Quasi-BallisticTransportandBack-ScatteringCoefficient1.5.3VelocityOvershootinShortChannelDevices1.6SummaryofI-VCharacteristicsofCMOSTransistorsChap2.NewPhysicalEffects(3hs)2.1AugerRecombinationandImpactIonization.2.2CarrierQuantizationinaQuantumWell.2.2.1CarrierQuantization.2.2.2DensityofStatesinQuantumWell.2.2.3TheImpactofCarrierQuantizationinMOSDeviceCharacteristics.2.3QuantumTunnelingthroughaPotentialBarrier.2.3.1ElectronTunnelingthroughanElectronBarrier.2.3.2HoleTunnelingthroughaHoleBarrier.2.3.3ElectronTunnelingfromaTrapintheOxideGaptotheConductionBand.2.3.4Band-to-BandTunneling.2.3.5Gate-Induced-Drain-Leakage(GIDL)inMOSFETs.2.4GateTunnelingCurrentFowler-Nordheim(FN)andDirectTunneling(DT),ElectronTunnelingandHoleTunneling,CarrierSeparationMeasurements.ThroughChannelandthroughs/dTunneling,DifferentTunnelingCurrentComponentsinnandpMOSFETs.AnalyticalExpressionsforFNandDTtunnelingcurrents.Chap3.ReliabilityandDeviceLifetime(3hs)3.6NewReliabilityIssuesfor100orsub100nmTechnologyNodeCMOSDevicesChap4.NewMaterials(4hs)4.1High-kdielectrics4.1.1GatedielectricsEquivalentoxidethickness(EOT)4.1.2MIMcapacitors.4.1.3Requirementsforhigh-kdielectricmaterials4.1.4PotentialhighkandmiddlekDielectricMaterials4.1.5.Tunnelingcurrentthroughmiddlekdielectricstacks:oxynitridestacks.4.1.6Tunnelingcurrentthroughhighkdielectricstacks:HfO2and(HfO2)x(Al2O3)1-xgatestacksandthescalabilityoffutureMOSFETs.4.2Metalgatematerials4.2.1Introduction4.2.2Requirementsformetalgatematerials.4.2.3Workfunctionsforpotentialmetalgatematerials.4.2.4MetalAlloyandDualworkfunctionmetalgates4.3Newchannelmaterials4.3.1Introduction4.3.2SiGelayerandStrainedSilayerCriticalthicknessofpseudomorphiclayerSi1-xGexepigrownonSisubstrateStrainedSiepigrownonrelaxedSi1-xGex/Si.StrainedGeepigrownonrelaxedSi1-xGex/Si4.3.3PhysicalanalysisofmobilityenhancementBulksemiconductorelectronandholeeffectivemassAlloyscatteringStressinducedenergybandchangeDifferentscatteringmechanism.Whatkindofstrainisgood.Process-inducedlocalstraininthechannelregion.4.3.4Bi-axialstrainanduniaxialstrain,processinducedlocalstrain3.1IntroductionFowler-Nordheim(FN)Stress;HotCarrier(HC)stress;NegativeBiasTemperatureInstability(NBTI).3.2InterfaceTrapsandOxideTrapsInterfacetraps,chargecontributionfrominterfacetraps,oxidetrapsandoxidecharge.3.3InterfacetrapMeasurements3.3.1C-Vmethods3.3.2Charge-Pumping(CP)method3.3.3Direct-CurrentCurrent-Voltage(DCIV)method.3.4VariationofDeviceParametersunderStressesandDeviceLifetime.VariationofVthunderFNstressandNBTI.DynamicNBTI.VariationofVthunderHCstress(Hotcarrierdegradation).WorstHCdegradationcondition.VariationofgmunderFNorHCstressVariationofotherdeviceparametersunderstress(Rs/d,Cg-s/d,GIDL)3.5OxideDegradationandOxideReliability3.5.1Oxidebreakdown(BD)andQuasi-Breakdown(QB)(SoftBreakdown),QBDandTBD3.5.2CumulativeDistributionFunctionandWeibullPlot3.5.3StressInducedLeakageCurrent(SILC)
共10条记录,每页显示10条,到第页 [首页] [上一页] [下一页] [尾页]
课程搜索
类  型:
学科方向:
学科分类:
院  系:
内  容:
教  师:
讲座专家
Aranda Pino
Profesor of Department of Algebra, Geometry and Topology Science Faculty, University of Málaga, Spain. Research Interests: Leavitt path
Nikos Hadjichristidis
Prof. Nikos Hadjichristidis, Department of Chemistry, University of Athens.
蔡荣根
中国科学院理论物理所研究员,博士生导师。中国引力和相对论天体物理学会副理事长(2008-) 中国科学技术大学交叉学科理论研究中心兼职教授
欧阳钟灿
欧阳钟灿,中国科学院院士。1968年清华大学自控系毕业,1981年清华大学物理系固体物理专业获硕士学位,1984年获光学专业理学博士学位。1985-1986年在理论物理所
Manuela M. Veloso
Manuela M. Veloso教授是国际人工智能和自主机器人领域的主要学界领导人和学术带头人之一,取得了一系列杰出成就,其中部分成果产生了深远的影响。
庄小威
庄小威,华裔美籍生物物理学家,美国国家科学院院士, 哈佛大学化学与化学生物、物理学教授,创办有庄小威实验室。
课件总访问人次:10143895
中国科学技术大学研究生网络课堂试运行版,版权属于中国科学技术大学研究生院。
本网站所有内容属于中国科学技术大学,未经允许不得下载传播。
地址:安徽省合肥市金寨路96号;邮编:230026。TEL:+86-551-63602922;E-mail:wlkt@ustc.edu.cn。