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Status, Prospects, and Simulation/Modeling of RRAMs
Status, Prospects, and Simulation/Modeling of RRAMs
教师介绍

本讲教师:余志平
所属学科:工科
人  气:1402

课程介绍
The status of emerging non-volatile memories (NVMs) is reviewed, including PCM, STT-MRAM, and RRAM. RRAMs are classified in terms of switching materials (e.g., TMO, solid-state electrolyte) and conductive path (filament or bulk). In particular, the structure and large-scale realization of CBRAM (conductive-bridge RRAM) are described.The identification of RRAM switching mechanisms involves electro-thermal-chemical process, and is statistical in nature. Kinetic Monte-Carlo (KMC) is the suitable tool for this purpose. An in-house developed KMC code, both 2D and 3D, is discussed, along with its application to a low-power 3-terminal RRAM. Finally, compact models for RRAM used in the circuit simulation are briefly introduced. 余志平,清华大学微电子学研究所教授、博士生导师,IEEE(国际电机电子工程师协会)终身(Life)Fellow。1967年本科毕业于清华大学无线电电子学系,1980与1985年分别获得美国斯坦福大学电机工程系硕士、博士学位。2008-2015.2同时为斯坦福大学电机工程系访问教授。其专业领域是集成电路计算机辅助设计(ICCAD),主要从事半导体器件模拟与电路集约模型建模。已发表学术论文近400篇,合著英、中文专著各一本。七五计划期间(1986-1990)参与组织的熊猫集成电路设计系统获1993年国家科技进步一等奖。 余志平教授担任过的与专业有关的社会工作包括:IEEE Transactions on IC CAD杂志副主编(1996-2005),国务院学位委员会第五届学科评议组(电子科学与技术)成员(2003-2008),清华大学第一届教授提名委员会信息学科委员(2003-2008),清华大学国际学术交流委员会委员(至今),韩国政府ETRI(电子通信研究院)顾问委员会成员(2006-2008)及IEEE Fellow提名委员会成员(2009)。他目前是IEEE EDS(电子器件分会)Nanotechnology(纳米技术)与半导体制造(Semiconductor Manufacturing)委员会成员。余志平教授近年来的研究项目主要集中在纳电子器件(包括石墨烯器件与变阻存储器-RRAM)、CMOS射频电路建模与设计、半导体器件物理(包括量子输运与能带计算)等。已承担与正在承担的国家科研项目包括国家自然科学基金的重点项目与国际合作重点项目,973、863项目,国家重大科技专项(01-03)项目。他的研究工作有广泛的国际合作,曾接受Intel,台积电(TSMC),Cadence等国际知名集成电路公司的项目资助,在清华进行的RRAM项目曾由美国的半导体集成电路公司联合研究组织SRC(Semiconductor Research Corp.)资助(2012-2014)。

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