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高等芯片可靠性机理及其中的力学问题
高等芯片可靠性机理及其中的力学问题
教师介绍

本讲教师:饶世国
所属学科:工科
人  气:3735

课程介绍
报告摘要: 报告内容包括最先进微电子的可靠性破坏机理,将特别谈到力学在其中发挥的作用。这些机理包括金属线结构的电子和应力迁移;晶体管栅极击穿,电压和温度引起的晶体管非稳定性、热电子冲击,TSV以及芯片和先进封装耦合可靠性问题。 报告人介绍: 饶世国博士一九九一年毕业于中国科技大学,获固体力学博士学位。毕业后在中国科技大学任教。一九九四年被新加坡国家科技局引进人才计划聘为研究员,从事微电子材料破坏机理研究。一九九七年开始在美国西北大学(Northwestern University) 先进材料可靠性和破坏预防研究中心做研究员。从二OOO年开始进入微电子工业界从事芯片可靠性研究和应用,先后任职于摩托罗拉电子(Motorola) 和爱立信公司(Ericsson)担任高级和主任工程师。二OO四年加入美高森美微(Microsemi Corporation)电子集团先后担任首席工程师,技术委员会高级委员和技术委员会院士职称,也是国际电子工程师协会(IEEE) 的高级会员。他目前负责公司可靠性部门,主要研究最新工艺和材料引起的新的可靠性破坏机理以及高端芯片可靠性设计方案。尤其在28nm,16nm以及3D和2.5D 封装这些对可靠性要求极其苛刻的技术上,制定完整的可靠性评估,设计和预防方法。 饶博士在高等芯片的可靠性领域发表近四十篇论文。在多个国际学术会议作大会报告和分会主席。自二O一二年起担任国际可靠性物理大会 (IRPS) 和国际电子元器件和技术大会(ECTC)技术委员会委员。负责和参与多个JEDEC 标准的制定并被授于杰出贡献奖。

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SA15204057: 发布时间:2017-01-10 12:26
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